压力变送器的最高精度能够达到量程的万分之五，因此其零点漂移是不能忽略的。单晶硅类压力传感器因精度高、响应速度快等特点，对温度的变化较其它类传感器异常敏感。经过试验得出单晶硅的导电能力随温度的增加按指数规律增长，因此由单晶硅制作的压力变送器受温度影响后，传感器的输出信号将产生零点温度漂移。

       零点温度漂移：理想情况下单晶硅上的组成惠斯顿电桥的4个扩散电阻阻值是严格相等的，因而在电桥处于平衡状态时，电桥的输出电压为零。但在传感器加工过程中，由于被连接成惠斯顿电桥的四个扩散电阻阻值不可能控制到完全相等，所以当压力为零时，惠斯顿电桥的输出不为零，这种零点输出将随温度的变化而产生漂移，即产生零点温度漂移。

       针对零点温度漂移，压力变送器在设计时采用温度补偿设计，减少温度对传感器的精度影响，在生产时采用多点温度和多点压力组合标定的形式得出温度补偿数据矩阵，并在传感器内放置温度传感器，使在现场使用时实时采集过程温度，然后利用三维数据拟合的方式，进行软件温度补偿，以较少温度对零点的影响。