压力变送器在实际应用中有零点温度漂移补偿和灵敏度温度漂移补偿，在文章（一）重点阐述了零点温度漂移补偿的方法。本文将重点阐述由于温度变化导致单晶硅膜片压阻系数变化的温度补偿方法。

       经过材料分析和实际试验验证，单晶硅压力变送器传感器的灵敏度是负温度系数的。因此对其补偿主要是寻找一个灵敏度为负温度系数的元件串联在其中，经过多重试验验证，最为简洁的方法是在惠斯顿恒压源激励中加入一个或两个PN结型二极管，由于二极管导通电压灵敏度可达到-2mV/℃，比热敏电阻灵敏30-40倍，因此利用二极管对传感器进行灵敏度温度补偿极为合适，其补偿原理是当温度升高时，传感器的灵敏度要求降低，此时需要提高恒压源激励的电压，使传感器的输出保持在恒定状态，当温度降低时，传感器的灵敏度要求升高，此时需要降低恒压源激励的电压，使传感器的输出保持在恒定状态。当二极管的导通电压为负温度系数时，串联在恒压源激励中的二极管导通电压随着温度的变化而进行变化，刚好能够起到在温度变化时，自动调节恒压源激励电压目的。

       经过反复试验验证，深圳优威仪表探索出了一套行之有效的压力变送器温度补偿方式，在硬件层面利用材料温度系数的特点进行硬件补偿，在软件层面利用标定数据进行多重算法计算和拟合，最终使我司压力变送器精度和可靠性优异。